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Электронный компонент:

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BPX 81
Semiconductor Group
234
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06021
BPX 81
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 81
Q62702-P20
BPX 81-2
Q62702-P43-S2
BPX 81-3
Q62702-P43-S3
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 440 nm bis 1070 nm
q
Hohe Linearitt
q
Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Computer-Blitzlichtgerte
q
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
q
High linearity
q
One-digit array package of transparent
epoxy
q
Available in groups
Applications
q
Computer-controlled flashes
q
Miniature photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
10.95
Semiconductor Group
235
BPX 81
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
230
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
32
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
90
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
750
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
440 ... 1070
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.17
mm
2
BPX 81
Semiconductor Group
236
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.6
0.6
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
1.3 ... 1.9
mm
Halbwinkel
Half angle
18
Grad
deg.
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
6
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
25 (
200)
nA
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.25 ... 0.50
1.4
0.40 ... 0.80
2.2
0.63
3.4
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
5.5
6
8
s
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
150
mV
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
237
BPX 81
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)