SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group
1
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1100 nm (SFH 229)
und bei 880 nm (SFH 229 FA)
q
Kurze Schaltzeit (typ. 10 ns)
q
3 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse
q
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechselbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
380 nm to 1100 nm (SFH 229) and of
880 nm (SFH 229 FA)
q
Short switching time (typ. 10 ns)
q
3 mm LED plastic package
q
Also available on tape
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 229
Q62702-P215
SFH 229 FA
(*SFH 229 F)
Q62702-P216
SFH 229
SFH 229 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6447
feo06447
01.97
SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group
2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3 s)
T
S
230
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
20
V
Verlustleistung
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 229
SFH 229 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V
,
= 950 nm,
E
e
= 1 mW/cm
2
S
S
28 (
18)
20 (
10.8)
nA/Ix
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
860
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
380 ... 1100 730 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.3
0.3
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
0.56
0.56
0.56
0.56
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuse-
oberflche
Distance chip front to case surface
H
2.4 ... 2.8
2.4 ... 2.8
mm
SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group
3
Halbwinkel
Half angle
17
17
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
50 (
5000)
50 (
5000)
pA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
0.62
0.60
A/W
Quantenausbeute,
= 850 nm
Quantum yield
0.90
0.88
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
= 950 nm
V
O
V
O
450 (
400)
420 (
370)
mV
mV
Kurzschlustrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
= 950 nm
I
SC
I
SC
27
9
A
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 10 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
10
10
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
13
13
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
= 950 nm
TC
I
0.18
0.2
%/K
Kennwerte
(T
A
= 25
C)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 229
SFH 229 FA
SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group
4
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
= 850 nm
NEP
6.5
10
15
6.5
10
15
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
= 850 nm
Detection limit
D*
8.4
10
12
8.4
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte
(T
A
= 25
C)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 229
SFH 229 FA
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
SFH 229
SFH 229 FA
Semiconductor Group
5
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
SFH 229
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
e
)
SFH 229 FA
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHZ,
E
= 0
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
SFH 229 FA
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
SFH 229
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
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