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Электронный компонент: Q62702-P27

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BPX 65
BPX 66
Semiconductor Group
342
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
q
BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit
q
BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)
q
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),
geeignet bis 125
o
C
1)
Anwendungen
q
schneller optischer Empfnger mit gro
er
Modulationsbandbreite
Features
q
Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
q
BPX 65: high photosensitivity
q
BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)
q
Hermetically sealed metal package (TO-18),
suitable up to 125
o
C
1)
Applications
q
Fast optical sensor of high modulation
bandwidth
BPX 65
BPX 66
1)
Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei
T
A
> 85
o
C
1)
For operating conditions of
T
A
> 85
o
C please contact us.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
BPX 65
Q62702-P27
18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch
dichtes Gehuse, Ltspie
e im 2.54-mm-Raster
(
2
/
10
"), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehuse-
boden
18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs 2.54 mm (
2
/
10
") lead
spacing, anode marking: projection at package bot-
tom
BPX 66
Q62702-P80
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
10.95
BPX 65
BPX 66
Semiconductor Group
343
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... +80
o
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3s)
T
S
230
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
50
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
o
C
Total power dissipation
P
tot
250
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
o
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
o
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
S
10 (
5.5)
nA/Ix
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
350 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
1.00
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
x
B
L
x
W
1 x 1
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
2.25 ... 2.55
mm
Halbwinkel
Half angle
40
Grad
deg.
BPX 65
BPX 66
Semiconductor Group
344
Dunkelstrom
Dark current
BPX 65:
V
R
= 20 V
BPX 66:
V
R
= 1 V
I
R
1 (
5)
0.15 (
0.3)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
0.55
A/W
Quantenausbeute,
= 850 nm
Quantum yield
0.80
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
L
320 (
270)
mV
Kurzschlu
strom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
I
K
10
A
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
12
ns
Durchla
spannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
11
pF
Temperaturkoeffizient von
V
L
Temperature coefficient of
V
L
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
K
Temperature coefficient of
I
K
TC
I
0.2
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 20 V,
= 850 nm
NEP
3.3 x 10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V,
= 850 nm
Detection limit
D*
3.1 x 10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
o
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
o
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 65
BPX 66
Semiconductor Group
345
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
L
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 20 V,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)