SFH 221 S
Semiconductor Group
399
Silizium-Differential-Fotodiode
Silicon Differential Photodiode
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q
Hohe Fotoempfindlichkeit
q
Hermetisch dichte Metallbauform (hnlich
TO-5), geeignet bis 125
o
C
1)
q
Doppeldiode von extrem hoher
Gleichm
igkeit
Anwendungen
q
Nachlaufsteuerungen
q
Kantenfhrung
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q
High photosensitivity
q
Hermetically sealed metal package (similar
to TO-5), suitable up to 125
o
C
1)
q
Double diode with extremely high
homogeneousness
Applications
q
Follow-up controls
q
Edge drives
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
1)
Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei
T
A
> 85
o
C
1)
For operating conditions of
T
A
> 85
o
C please contact us.
Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95)
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 221 S
(*SFH 221)
Q62702-P270
Ltspie
e im 5.08-mm-Raster
(
2
/
10
")
solder tabs 5.08 mm
(
2
/
10
") lead spacing
SFH 221 S
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
SFH 221 S
Semiconductor Group
400
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... +80
o
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3s)
T
S
230
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
10
V
Isolationsspannung gegen Gehuse
Insulation voltage vs. package
V
IS
100
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
o
C
Total power dissipation
P
tot
50
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
o
C, Normlicht A,
T
= 2856 K) fr jede Einzeldiode
Characteristics (
T
A
= 25
o
C, standard light A,
T
= 2856 K) per single diode
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
S
24 (
15)
nA/Ix
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
400 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
1.54
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
x
B
L
x
W
0.7 x 2.2
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
1.1 ... 1.6
mm
Halbwinkel
Half angle
55
Grad
deg.
SFH 221 S
Semiconductor Group
401
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
10 (
100)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
0.55
A/W
Maximale Abweichung der
Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
S
5
%
Quantenausbeute,
= 850 nm
Quantum yield
0.80
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
L
330 (
280)
mV
Kurzschlu
strom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
I
K
24
A
Isolationsstrom,
V
IS
= 100 V
Insulation current
I
IS
0.1 (
1)
nA
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 k
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 25
A
t
r
,
t
f
500
ns
Durchla
spannung,
I
F
= 40 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.0
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
25
pF
Temperaturkoeffizient fr
V
L
Temperature coefficient of
V
L
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient fr
I
K
Temperature coefficient of
I
K
TC
I
0.18
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
= 850 nm
NEP
1.0 x 10
13
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
= 850 nm
Detection limit
D*
1.2 x 10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
o
C, Normlicht A,
T
= 2856 K) fr jede Einzeldiode
Characteristics (
T
A
= 25
o
C, standard light A,
T
= 2856 K) per single diode
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 221 S
Semiconductor Group
402
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
L
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 1 V,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
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