ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62702-P273

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Semiconductor Group
1
1998-04-20
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen bei
880 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse
q
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern und Gertefernsteuerungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
Especially suitable for applications of
880 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
5 mm LED plastic package
q
Also available on tape
Applications
q
IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
q
Photointerrupters
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 235 FA
(*SFH 235)
Q62702-P273
SFH 235 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
eo0642
2
SFH 235 FA
Semiconductor Group
2
1998-04-20
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3 s)
T
S
230
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
32
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
S
50 (
40)
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
740 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
7
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
2.65
2.65
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.6 ... 0.8
mm
Halbwinkel
Half angle
65
Grad
deg.
SFH 235 FA
Semiconductor Group
3
1998-04-20
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
2 (
30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
S
0.63
A/W
Quantenausbeute
Quantum yield
0.9
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
V
O
320 (
250)
mV
Kurzschlustrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
I
SC
22
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
20
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
72
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.03
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
NEP
4.0
10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
D*
6.6
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 870 nm)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 235 FA
Semiconductor Group
4
1998-04-20
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
e
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
OHF01430
400
rel
S
0
600
800
1000 nm 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
0
OHF00080
R
R
V
0
5
10
15
V
20
1000
2000
3000
4000
pA
E
OHF01428
e
0
10
P
-1
10
10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
3
4
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
A
mV
P
V
O
2
W/cm
V
OHF00081
R
-2
10
C
0
-1
10
0
10
1
10
2
10
V
10
20
30
40
50
60
70
80
pF
100
T
OHF00398
A
0
tot
P
0
20
40
60
80 C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10
0
R
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20
40
60
80 C 100
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)