ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62702-P296

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Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q
Gute Linearitt (
I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strmen
q
Sehr hoher Wirkungsgrad
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
SFH 415: Gehusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gertefernsteuerungen
Features
q
GaAs infrared emitting diodes, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
Good linearity (
I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
q
High efficiency
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
SFH 415: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control of various equipment
GaAs-IR-Lumineszenzdioden
GaAs Infrared Emitters
SFH 415
SFH 416
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2
5.1
4.8
0.8
0.4
0.6
0.4
2.54mm
spacing
5.9
5.5
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Cathode
Approx. weight 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
5.1
4.8
2.54 mm
spacing
5.7
5.5
6.9
6.1
4.0
3.4
29.5
27.5
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode)
Chip position
GEX06630
Approx. weight 0.4 g
Collector (Transistor)
fex06630
fexf6626
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 415
SFH 416
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 415
Q62702-P296
5-mm-LED-Gehuse (T 1
3
/
4
), schwarz eingefrbt, An-
schlu im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Kathodenkennzeichnung: krzerer Anschlu
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), black-colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
''), cathode
marking: short lead
SFH 415-T
Q62702-P1136
SFH 415-U
Q62702-P1137
SFH 416-R
Q62702-P1139
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
100
mA
Stostrom,
t
p
= 10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
SFH 415
SFH 416
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 415
SFH 416
17
28
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.09
mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.3
0.3
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 415
SFH 416
H
H
4.2 ... 4.8
3.4 ... 4.0
mm
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.5
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
V
F
1.3
(
1.5)
2.3
(
2.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
22
mW
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 415
SFH 416
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
+ 0.3
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
SFH
415
SFH
415-T
SFH
415-U
SFH
416-R
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
25
25
50
> 40
> 10
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ.
380
600
150
mW/sr
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 415
SFH 416
Semiconductor Group
5
1997-11-01
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHRD1938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
OHR01554
V
F
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
F
A
1
2
3
4
V
5
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01551
10
-3
F
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
e 100 mA
e
-2
10
-1
10
0
10
1
10
A
A
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
OHR00883
0
F
0
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
mA
C
T
A
= 450 K/W
thjA
R
Radiation characteristics SFH 416
I
rel
=
f
(
)
OHR01553
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Radiation characteristics SFH 415
I
rel
=
f
(
)
OHR01552
90
80
70
60
50
40
30
20
10
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
0
0
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
C
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
t
OHR00860
p
-5
10
10
2
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
F
t
p
T
D
=
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
s
D
=