Semiconductor Group
485
10.95
SFH 520
SFH 520 A
Eigenschaften
Substratscheibe:
4600
1400
cm
Chipdicke:
381
15
m
Vorderseite:
Aluminiumkontakt 1,4
m
Aluminiumabdeckung ganzflchig 0.1
m
Rckseite:
0,4
m Gold/Arsen
q
Kleiner Dunkelstrom
q
Niedrige Kapazitt
q
Hohe Durchbruchspannung ermglicht Betrieb bei voll ausgerumten Chip
Features
Substrate:
4600
1400
cm
Chip thickness:
381
15
m
Topside:
Aluminium contact 1.4
m
Aluminium total cover 0.1
m
Backside:
0.4
m Au/As
q
Low dark current
q
Low capacitance
q
High breakdown voltage permits operation at full depletion
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fes06874
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 520
SFH 520 A
Q62702-P419
Q62702-P429
-
-
-
Strahlungsdetektoren
SFH 520
-
-
-
Radiation Detectors
SFH 520 A
Semiconductor Group
486
SFH 520
SFH 520 A
Kennwerte
Characteristics
Current and Capacitance Characteristics per cm
2
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Sperrspannung
Breakdown voltage
100
A
V
R
> 180
V
Dunkelstrom
Dark current
100 V
160 V
I
R
(< 15)
10 (< 20)
nA
Fluspannung
Forward voltage
100 mA
V
F
0.7 (< 2.0)
V
Kapazitt
Capacitance
f
= 1 MHz,
E
v
= 0
80 V
150 V
C
12
10
pF
Kapazitt pro cm
2
Capacitance per cm
2
120 V
C
/cm
2
32
pF
Betriebsspannung
Operating voltage
V
op
90 ... 120
V
Ladungstrger - Lebensdauer
Charge carrier lifetime
10
msec.
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