ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62702-P47

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BPX 90
BPX 90 F
Semiconductor Group
1
Silizium-Fotodiode
Silicon Photodiode
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90)
und bei 950 nm (BPX 90 F)
q
Hohe Fotoempfindlichkeit
q
DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 90) and of 950 nm
(BPX 90 F)
q
High photosensitivity
q
DIL plastic package with high packing
density
Applications
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 90
Q62702-P47
BPX 90 F
Q62702-P928
BPX 90
BPX 90 F
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6014
feo06014
01.97
BPX 90
BPX 90 F
Semiconductor Group
2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3 s)
T
S
230
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
32
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
100
mW
Kennwerte
T
A
= 25
C
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 90
BPX 90 F
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
= 950 nm,
E
e
= 1 mW/cm
2
S
S
45 (
32)
26 (
16)
nA/Ix
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
830
950
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
400 ... 1150 800 ... 1150 nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
5.5
5.5
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
1.75
3.15
1.75
3.15
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.5
0.5
mm
BPX 90
BPX 90 F
Semiconductor Group
3
Halbwinkel
Half angle
60
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
5 (
180)
5 (
180)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 950 nm
Spectral sensitivity
S
0.48
0.48
A/W
Quantenausbeute,
= 950 nm
Quantum yield
0.62
0.62
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
= 950 nm
V
O
V
O
450 (
380)
400 (
340)
mV
mV
Kurzschlustrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
= 950 nm
I
SC
I
SC
45
13
A
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 k
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 30
A
t
r
,
t
f
1.3
1.3
s
Durchlaspannung,
I
F
= 80 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
430
430
pF
Kennwerte
T
A
= 25
C
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 90
BPX 90 F
BPX 90
BPX 90 F
Semiconductor Group
4
Kennwerte
T
A
= 25
C
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 90
BPX 90 F
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
= 950 nm
TC
I
TC
I
0.18

0.2
%/K
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
= 950 nm
NEP
8
10
14
8
10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
= 950 nm
Detection limit
D*
2.9
10
12
2.9
10
12
cm
Hz
W
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
BPX 90
BPX 90 F
Semiconductor Group
5
Relative spectral sensitivity BPX 90
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-volt. BPX 90 F
V
O
=
f
(
E
e
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Relative spectral sensitivity BPX 90 F
S
rel
=
f
(
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit volt. BPX 90
V
O
=
f
(
E
v
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0