Semiconductor Group
1
1998-09-08
Features
q
High pulse power and high radiant flux
e
q
Very short switching times (10 ns)
q
Low forward voltage and power dissipation
q
Very high long-time stability
q
Available on tape and reel
Applications
q
High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
q
Analog and digital Hi-Fi audio and video
signal transmission
q
Low power consumption (battery) equipment
q
Suitable for professional and high-reliability
applications
q
Alarm and safety equipment
q
IR free air transmission
Wesentliche Merkmale
q
Hohe Pulsleistung sowie hoher
Gesamtstrahlungsflu
e
q
Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
q
Geringe Vorwrtsspannung und
Leistungsaufnahme
q
Sehr hohe Langzeitstabilitt
q
Gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Schnelle Datenbertragung mit
bertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
q
Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Video-
signalbertragung
q
Batteriebetriebene Gerte (geringe Strom-
aufnahme)
q
Anwendungen mit hohen Zuverlssigkeits-
ansprchen bzw. erhhten Anforderungen
q
Alarm- und Sicherungssysteme
q
IR Freiraumbertragung
Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
High-Speed GaAlAs Infrared Emitter
SFH 4591
SFH 4592
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
5.1
4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29.5
27.5
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Anode
Chip position
GEX06626
Approx. weight 0.2 g
GEX06984
Chip position
Anode
0.4
0.6
Area not flat
0.4
0.8
1.2
1.8
27
29
4.2
4.8
8.2
9.0
7.5
7.8
spacing
2.54 mm
4.8
5.1
0.4
0.6
5.5
5.9
fex06626
fex06260
SFH 4591
SFH 4592
Semiconductor Group
2
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 4591
SFH 4592
Q62702-P5059
Q62702-P5060
5 mm-LED-Gehuse (T1
3
/
4
), klar, Anschlsse im 2,54-mm
Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschlu
5-mm-LED package (T1
3
/
4
), clear, solder tabs 2.54-mm (
1
/
10
"),
anode marking: short lead
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Durchla
strom
Forward current
I
F
(DC)
100
mA
Sto
strom,
t
p
=
10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
2
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200
mW
Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlnge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and
PCB max. 10 mm
R
thJA
375
K/W
Semiconductor Group
3
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength of peak emission
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms
25
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 4591
SFH 4592
7
18
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.09
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.3
0.3
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von
90% auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
10
ns
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
35
pF
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
V
F
1.5
(
2.0)
3.0
(
3.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
I
R
0.01
(
10)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
25
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.44
%/K
Semiconductor Group
4
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Ltbedingungen
Soldering Conditions
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
+ 0.13
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
SFH 4591
SFH 4592
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e typ
40
80
25
40
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ
600
300
mW/sr
Tauch-, Schwall- und Schleppltung
Dip, wave and drag soldering
Kolbenltung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze)
Iron soldering (with 1.5-mm-bit)
Ltbad-
temperatur
Temperature
of the
soldering
bath
Maximal
zulssige
Ltzeit
Max. perm.
soldering
time
Abstand
Ltstelle
Gehuse
Distance
between
solder joint
and case
Temperatur
des Kolbens
Temperature
of the solder-
ing iron
Maximale
zulssige
Ltzeit
Max. permissi-
ble soldering
time
Abstand
Ltstelle
Gehuse
Distance
between
solder joint
and case
260
C
10 s
1.5 mm
300
C
3 s
1.5 mm
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
5
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
I
e
I
e
100mA
-----------------
f I
F
( )
=
OHF00363
10
-2
0
10
e
F
e (100 mA)
10
-1
10
1
10
2
-2
10
-1
10
0
10
1
10
A
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
)
single pulse,
t
p
= 20
s
OHF00366
0
700
rel
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
750
800
850
900
nm
1000
%
OHF00362
0
V
V
F
10
-2
0
10
F
10
1
10
-1
A
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
OHF00359
0
F
0
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
mA
C
T
A
R
thjA
= 375 K/W
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
), SFH 4591
OHF00365
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Permissible pulse power
Duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 25
C
10
5
-1
A
10
5
F
0
10
1
-3
10
-5
10
-4
10
10
10
-2
-1
10
0
t
p
10
10
1
s
2
OHF00361
D =
T
t
p
T
p
t
F
D = 0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
), SFH 4592
OHR00397
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP