BPX 63
Semiconductor Group
361
Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom
Silicon Photodiode with Very Low Dark Current
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
q
Sperrstromarm (typ. 5 pA)
q
TO-18, Bodenplatte, mit klarem Epoxy-
Gieharz
Anwendungen
q
Belichtungsmesser,
Belichtungsautomaten
Features
q
Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
q
Low reverse current (typ. 5 pA)
q
TO-18, base plate, transparent epoxy
resin lens
Applications
q
Exposure meters, automatic exposure
timers
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 63
Q62702-P55
BPX 63
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fet06012
10.95
BPX 63
Semiconductor Group
362
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3 s)
T
S
230
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
7
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
200
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
S
10 (
8)
nA/Ix
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
800
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
350 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.97
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
0.985
0.985
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.2 ... 0.8
mm
Halbwinkel
Half angle
75
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 1 V
Dark current
I
R
5 (
20)
pA
BPX 63
Semiconductor Group
363
Nullpunktsteilheit,
E
= 0
Zero crossover
S
0
0.4
pA/mV
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
0.50
A/W
Quantenausbeute,
= 850 nm
Quantum yield
0.73
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
O
450 (
380)
mV
Kurzschlustrom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
I
SC
10
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 k
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 10
A
t
r
,
t
f
1.3
s
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
100
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.16
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 1 V,
= 850 nm
NEP
2.5
10
15
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 1 V,
= 850 nm
Detection limit
D*
3.9
10
13
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 63
Semiconductor Group
364
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
E
v
= 0 V,
V
R
= 1 V
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
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