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Электронный компонент: Q62702-P75

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Semiconductor Group
211
BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fet06017
BP 103
1)
Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BP 103
Q62702-P75
BP 103-2
Q62702-P79-S1
BP 103-3
Q62702-P79-S2
BP 103-4
Q62702-P79-S4
BP 103-5
1)
Q 62702-P781
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q
Hohe Linearitt
q
TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gie
harz, mit Basisanschlu
Anwendungen
q
Computer-Blitzlichtgerte
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
q
High linearity
q
TO-18, base plate, transparent epoxy resin
lens, with base connection
Applications
q
Computer-controlled flashes
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
10.95
BP 103
Semiconductor Group
212
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature,
2 mm distance
from case bottom
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature,
2 mm distance
from case bottom
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
50
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
100
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Emitter-Basisspannung
Emitter -base voltage
V
EB
7
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
500
K/W
Semiconductor Group
213
BP 103
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
420 ... 1130
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.12
mm
2
Abmessungen der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.5
0.5
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.2 ... 0.8
mm
Halbwinkel
Half angle
55
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light a
V
CB
= 5 V
I
PCB
I
PCB
0.9
2.7
A
A
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
C
CB
C
EB
8
11
19
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 35 V,
E
= 0
I
CEO
5 (
100)
nA
BP 103
Semiconductor Group
214
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix.
Normlicht/standard light A
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
80 ... 160
0.38
125 ... 250
0.6
200 ... 400
0.95
320
1.4
A
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
5
7
9
12
s
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
150
150
mV
Stromverstrkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCB
140
210
340
530
Semiconductor Group
215
BP 103
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Output characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Output characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark current
I
CEO
/
I
CEO25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0