Semiconductor Group
1
1998-04-16
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 400
SFH 401
SFH 402
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.6
2.54
spacing
4.8
4.6
(2.7)
5.5
5.0
5.3
5.0
14.5
12.5
0.45
Radiant sensitive area
GET06013
Approx. weight 0.5 g
Chip position
Cathode (SFH 402, BPX 65)
5.3
0.9
1.1
1.1
0.9
Anode (SFH 482)
(2.7)
0.45
14.5
12.5
5.3
5.0
6.4
5.6
Chip position
2.54 mm
spacing
4.8
glass
lens
welded
Approx. weight 0.35 g
5.6
5.3
Anode
Cathode
= SFH 481
= SFH 401
GET06091
(package)
4.6
0.9
1.1
1.1
0.9
5.6
5.3
2.54mm
spacing
0.45
Cathode (SFH 480)
(2.7)
14.5
12.5
5.3
5.0
4.8
4.6
GEO06314
Approx. weight 0.5 g
7.4
6.6
0.9
1.1
1.1
0.9
SFH 400)
Anode
Radiant
Sensitive area
Chip position
(SFH 216, SFH 231,
fet06090
fet06091
fet06092
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Semiconductor Group
2
1998-04-16
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 400
Q62702-P96
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes
Gehuse, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
'')
18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
'')
SFH 400-3
Q62702-P784
SFH 401-2
Q62702-P786
SFH 401-3
Q62702-P787
SFH 402
Q62702-P98
SFH 402-3
Q62702-P790
SFH 402-2
on request
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Kathode galvanisch mit dem
Gehuseboden verbunden
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
SFH 400: Gehusegleich mit SFH 216
q
SFH 401: Gehusegleich mit
BPX 43, BPY 62
q
SFH 402: Gehusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
IR-Fernsteuerungen
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
Cathode is electrically connected to the case
q
High reliability
q
SFH 400: Same package as SFH 216
q
SFH 401: Same package as
BPX 43, BPY 62
q
SFH 402: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
q
Photointerrupters
q
IR remote control
q
Industrial electronics
q
For drive and control circuits
Semiconductor Group
3
1998-04-16
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Grenzwerte (
T
C
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 401:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
SFH 400, SFH 402:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 125
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
300
mA
Stostrom,
t
p
= 10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
470
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160
K/W
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 400
SFH 401
SFH 402
6
15
40
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.25
mm
2
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Semiconductor Group
4
1998-04-16
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.5
0.5
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 400
SFH 401
SFH 402
H
H
H
4.0 ... 4.8
2.8 ... 3.7
2.1 ... 2.7
mm
mm
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
1
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
40
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
V
F
1.30
(
1.5)
1.90
(
2.5
)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
8
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.55
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
+ 0.3
nm/K
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
5
1998-04-16
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
400
SFH
400-3
SFH
401-2
SFH
401-3
SFH
402
SFH
402-2
SFH
402-3
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
20
32
10
20
16
2.5
2.5
4
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ.
300
320
120
190
40
40
40
mW/sr
PDF 
ZIP