Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Hohe Strahlstrke
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehusegleich mit SFH 305
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High radiant intensity
q
High pulse handling capability
q
Available in groups
q
Same package as SFH 305
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Punched tape-readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive ciruits
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 405
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
0.5
0.4
1.15
0.90
2.84
2.24
2.1
1.5
2.7
2.5
3.6
3.2
3.5
3.0
2.54 spacing
1) Detaching area for tools,
flash not true to size.
Approx. weight 0.02 g
GEO06137
3.0
2.5
0...5
Collector (SFH 305)
Cathode (SFH 405)
1)
feo06317
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 405
Q62702-P835
Miniatur-Leiterbandgehuse, klares Epoxy-Gieharz,
linsenfrmig, Anschlu im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Kathodenkennzeichnung: abgeschrgte Anschlsse
Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder
tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
''), cathode marking:
bevelled leads
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 405
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
80
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
mA
Stostrom,
10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
1.6
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
65
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJL
950
850
K/W
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 40 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 40 m A,
t
p
= 20 ms
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
16
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.25
mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.5
0.5
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H
1.3 ... 1.9
mm
SFH 405
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial
direction at a solid angle of
= 0.01 sr
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 40 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 40 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
1
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
40
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 40 mA
V
F
1.25
(
1.4)
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 40 mA,
t
p
= 20 ms
e
7
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 40 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 40 mA
TC
I
0.55
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 40 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 40 mA
TC
V
1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 40 mA
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 40 mA
TC
0.3
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 40 mA,
t
p
= 20 ms
I
e
2.5 (
1.6)
mW/sr
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 405
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHRD1938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01042
F
F
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01039
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
e
e
(100 mA)
10
F
OHR02183
-2
-1
10
0
10
1
10
A
-5
10
T
=
D
F
T
DC
0,5
0,2
0,1
0,05
0,005
0,01
0,02
=
D
10
-4
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
T
OHR00672
A
0
F
0
,
T
L
20
40
60
80 C 100
10
20
30
40
50
mA
R
thJA
= 950 K/W
= 850 K/W
thJL
R
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHR01886
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP