BPW 21
Semiconductor Group
1
1998-11-13
Silizium-Fotodiode fr den sichtbaren Spektralbereich
Silicon Photodiode for the visible spectral range
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 820 nm
q
Angepat an die Augenempfindlichkeit (V
)
q
Hermetisch dichte Metallbauform (hnlich
TO-5)
Anwendungen
q
Belichtungsmesser fr Tageslicht
q
Fr Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in
der Fotografie und Farbanalyse
Features
q
Especially suitable for applications from
350 nm to 820 nm
q
Adapted to human eye sensitivity (V
)
q
Hermetically sealed metal package (similar
to TO-5)
Applications
q
Exposure meter for daylight
q
For artificial light of high color temperature in
photographic fields and color analysis
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPW 21
Q62702-P885
BPW 21
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fmo06011
BPW 21
Semiconductor Group
2
1998-11-13
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3 s)
T
S
235
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
10
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
250
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
S
10 (
5.5)
nA/lx
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
550
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
350 ... 820
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
7.34
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
2.73
2.73
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
1.9 ... 2.3
mm
Halbwinkel
Half angle
55
Grad
deg.
BPW 21
Semiconductor Group
3
1998-11-13
Dunkelstrom
Dark current
V
R
= 5 V
V
R
= 10 mV
I
R
I
R
2 (
30)
8 (
200)
nA
pA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 550 nm
Spectral sensitivity
S
0.34
A/W
Quantenausbeute,
= 550 nm
Quantum yield
0.80
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
O
400 (
320)
mV
Kurzschlustrom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
I
SC
10
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 k
;
V
R
= 5 V;
= 550 nm;
I
p
= 10
A
t
r
,
t
f
1.5
s
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.2
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
580
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.05
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 5 V,
= 550 nm
NEP
7.2
10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 5 V,
= 550 nm
Detection limit
D*
1
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K) (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BPW 21
Semiconductor Group
4
1998-11-13
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
)
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 5 V
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
PDF 
ZIP