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Электронный компонент:

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Semiconductor Group
1
SFH 309
SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
q
Hohe Linearitt
q
3 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of
880 nm (SFH 309 FA)
q
High linearity
q
3 mm LED plastic package
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
SFH 309
SFH 309 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
feof6653
feo06653
01.97
Semiconductor Group
2
SFH 309
SFH 309 FA
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Codes
SFH 309
Q62702-P859
SFH 309 FA
(*SFH 309 F)
Q62702-P941
SFH 309-3
Q62702-P997
SFH 309 FA-2
(*SFH 309 F-2)
Q62702-P174
SFH 309-4
Q62702-P998
SFH 309 FA-3
(*SFH 309 F-3)
Q62702-P176
SFH 309-5
Q62702-P999
SFH 309 FA-4
(*SFH 309 F-4)
Q62702-P178
SFH 309-6
1)
Q62702-P1000
SFH 309 FA-5
(*SFH 309 F-5
1)
)
Q62702-P180
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
35
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
15
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
75
mA
Semiconductor Group
3
SFH 309
SFH 309 FA
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 309
SFH 309 FA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
860
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
380 ... 1150
730 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche (
240
m
)
Radiant sensitive area
A
0.2
0.2
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.45
0.45
0.45
0.45
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
2.4 ... 2.8
2.4 ... 2.8
mm
Halbwinkel
Half angle
12
12
Grad
deg.
Kapazitt,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
CE
5.0
5.0
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
1 (
200)
1 (
200)
nA
Grenzwerte
Maximum Ratings
(cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
4
SFH 309
SFH 309 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 309:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/
standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.4 ... 0.8
1.5
0.63 ... 1.
25
2.8
1.0 ... 2.0
4.5
1.6 ... 3.2
7.2
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
5
6
7
8
s
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
200
200
200
200
mV
Semiconductor Group
5
SFH 309
SFH 309 FA