ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62702-Q1745

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Semiconductor Group
1
1998-07-15
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 464 E7800
Q62702-Q1745
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieharz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehuseboden
18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (
1
/
10
''), anode marking: projection at
package bottom
Wesentliche Merkmale
q
Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-
Anteil
q
Kathode galvanisch mit dem
Gehuseboden verbunden
q
Sehr hoher Wirkungsgrad
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Kurze Schaltzeiten
q
Gehusegleich mit BP 103, LD 242
q
Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG
q
Lochblendenvermessenes Bauteil
(E 7800)
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz
q
LWL
Features
q
Radiation without IR in the visible red range
q
Cathode is electrically connected to the case
q
Very high efficiency
q
High reliability
q
Short switching time
q
Same package as BP 103, LD 242
q
DIN humidity category in acc. with DIN
40040 GQG
q
Component subjected to aperture
measurement (E 7800)
Applications
q
Photointerrupters
q
Fiber optic transmission
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.5
5.2
4.3
4.1
Chip position
3.6
3.0
14.5
12.5
0.45
2.54 mm
spacing
GET06625
Approx. weight 0.5 g
1
2.7
0.9
1.1
1.1
0.9
Anode
Cathode (SFH 483)
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
f
e
t
0
6625
SFH 464
SFH 464
Semiconductor Group
2
1998-07-15
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
50
mA
Stostrom,
t
p
=
10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
1
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
140
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160
K/W
K/W
Semiconductor Group
3
1998-07-15
SFH 464
1)
Fu
note siehe nchste Seite
1)
Footnote see next page
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
peak
660
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A
25
nm
Abstrahlwinkel
1)
Half angle
1)
23
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.106
mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.325
0.325
mm
Abstand Chipoberflche bis
Gehuseoberflche
Distance chip front to case surface
H
0.3 ... 0.7
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
100
ns
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Capacitance
C
o
30
pF
Durchlaspannung,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Forward voltage
V
F
2.1
(
2.8)
V
Sperrstrom,
V
R
= 3 V
Reverse current
I
R
0.01
(
10
)
A
Gesamtstrahlungsflu,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Total radiant flux
e
11
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 50 mA
TC
I
0.4
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 50 mA
TC
V
3
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 50 mA
TC
+ 0.16
nm/K
SFH 464
Semiconductor Group
4
1998-07-15
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
1)
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
1)
at a solid angle of
= 0.01 sr
1)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserckseite: 0.4 mm). Dadurch wird sichergestellt,
da
bei der Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberflche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche ber Zusatzoptiken
strend (z.B. Lichtschranken gro
er Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrckt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Me
verfahren ergibt sich
fr den Anwender eine besser verwertbare Gr
e. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den
Eintrag "E 7800", der an die Typenbezeichnung angehngt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation.
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstrke
1)
Radiant intensity
1)
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
I
e
1
mW/sr
Semiconductor Group
5
1998-07-15
SFH 464
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHR01869
0
rel
600
20
40
60
80
%
100
nm
650
700
750
V
OHR01871
F
F
0
3
10
2
10
1
10
10
0
mA
2
4
6
8
V 10
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
50 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01870
10
0
F
1
10
2
10
10
3
mA
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
e 50 mA
e
A
t
OHR01872
P
10
-5
s
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
1
10
T
t
P
D
=
t
P
T
F
D =
0.005
0.01
0.02
0.05
mA
4
10
10
3
10
2
1
10
DC
0.5
0.2
0.1
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
C
),
R
thJC
= 160 K/W
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
),
R
thJA
= 450 K/W
T
OHR01462
A
0
F
0
20
40
60
80
100
C
20
40
60
80
100
120
mA
T
OHR01461
A
0
F
0
20
40
60
80
100
C
20
40
60
80
100
120
mA
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
1)
(Fu
note siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page)
OHR01457
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0