Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem
Wirkungsgrad
q
Die Anode ist galvanisch mit dem
Gehuseboden verbunden
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG
q
Gehusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerungen und Tonbertragungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
Highly efficient GaAlAs LED
q
Anode is electrically connected to the case
q
High pulse power
q
High reliability
q
DIN humidity category in acc. with
DIN 40040 GQG
q
Same package as BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Applications
q
IR remote controls and sound transmission
q
Photointerrupter
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 483 E7800
Q62703-Q1090
18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieharz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
'')
18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (
1
/
10
'')
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.5
5.2
4.3
4.1
Chip position
3.6
3.0
14.5
12.5
0.45
2.54 mm
spacing
GET06625
Approx. weight 0.5 g
1
2.7
0.9
1.1
1.1
0.9
Anode
Cathode (SFH 483)
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
fet06625
SFH 483
Semiconductor Group
2
1997-11-01
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Vorwrtsgleichstrom,
T
C
25
C
Forward current
I
F
200
mA
Stostrom,
t
p
=
10
s,
D
= 0,
T
C
= 25
C
Surge current
I
FSM
2.5
A
Verlustleistung,
T
C
= 25
C
Power dissipation
P
tot
470
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160
K/W
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA
80
nm
Abstrahlwinkel
1)
Half angle
23
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.16
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.4
0.4
mm
Abstand Gehuserckseite bis
Chipoberflche
Distance chip front to case back
H
2.7 ... 2.9
mm
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 483
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.6/0.5
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
1.5
(<
1.8)
3.0
(<
3.8)
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
23
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
2.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
l
+ 0.25
nm/K
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 483
Semiconductor Group
4
1997-11-01
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
1)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserckseite: 4.0 mm). Dadurch wird
sichergestellt, da
bei der Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberflche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche ber
Zusatzoptiken strend (z.B. Lichtschranken gro
er Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrckt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Me
verfahren ergibt sich fr den Anwender eine besser verwertbare Gr
e. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag "E 7800", der an die Typenbezeichnung angehngt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation.
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstrke
1)
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
1
3.2
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
1)
(typ.)
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 ms
I
e typ.
20
mW/sr
Semiconductor Group
5
1997-11-01
SFH 483
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current,
I
F
=
f
(
V
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
s
0
750
rel
OHR00877
800
850
900
950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
t
p
),
T
C
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
10
OHR00878
e
F
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
10
1
10
2
10
4
mA
e
(100mA)
3
10
t
OHR00948
p
-5
10
10
2
F
10
3
10
4
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
F
t
p
T
D
=
5
mA
D
=
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
),
R
thJA
= 450 k/W
I
F
=
f
(
T
C
),
R
thJC
= 160 k/W
T
OHR00946
A
0
F
0
20
40
60
80
100
C
40
80
120
160
200
mA
240
,
T
C
= 450 K/W
thJA
R
R
thJC
= 160 K/W
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
1)
Fu
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OHR01457
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP