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Электронный компонент: Q62703-Q1442

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Semiconductor Group
1
11.96
5 mm (T1
3
/
4
) LED, Non Diffused
Super-Bright LED
LS 5421, LO 5411, LY 5421
LG 5411
VEX06713
Besondere Merkmale
q
eingefrbtes, klares Gehuse
q
als optischer Indikator bei hohem Umgebungslicht
q
Ltspiee ohne Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colored, clear package
q
for use as optical indicator in bright ambient light
q
solder leads without stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 5421-NR
LS 5421-Q
LS 5421-R
LS 5421-S
LS 5421-QT
super-red
red clear
25 ... 200
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
Q62703-Q1994
Q62703-Q1442
Q62703-Q1738
Q62703-Q2405
Q62703-Q1995
LO 5411-QT
LO 5411-R
LO 5411-S
LO 5411-T
LO 5411-RU
orange
colorless clear
63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
250 ... 500
100 ... 800
Q62703-Q3928
Q62703-Q3929
Q62703-Q3930
Q62703-Q3931
Q62703-Q3932
LY 5421-NR
LY 5421-Q
LY 5421-R
LY 5421-S
LY 5421-QT
yellow
yellow clear
25 ... 200
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
Q62703-Q1444
Q62703-Q1446
Q62703-Q2005
Q62703-Q2632
Q62703-Q1447
LG 5411-NR
LG 5411-Q
LG 5411-R
LG 5411-S
LG 5411-QT
green
colorless clear
25 ... 200
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
Q62703-Q2023
Q62703-Q1739
Q62703-Q1451
Q62703-Q2321
Q62703-Q2024
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
140
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
K/W
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Semiconductor Group
4
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
LO
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
635
586
565
610
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
628
590
570
605
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
45
45
25
40
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
20
20
20
20
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
= 1 MHz
C
0
12
10
15
8
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
300
150
450
200
300
150
ns
ns
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Semiconductor Group
5
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Semiconductor Group
6
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
7
Wellenlnge der Strahlung
peak
=
f
(
T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25
C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Semiconductor Group
8
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Krzerer Ltspie
Cathode mark:
Short solder lead
GEX06713
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411