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Электронный компонент: Q62703-Q1513

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Semiconductor Group
1
11.96
Besondere Merkmale
q
eingefrbtes, diffuses Gehuse
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
als Mehrfachzeile verfgbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colored, diffused package
q
for use as optical indicator
q
available as multiple array (LED)
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Array LED
2 mm LED, Diffused
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Typ
Type
Anzahl der
Lichtpunkte
Number of
Dots
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LR Z181-CO
LR Z182-CO
LR Z183-CO
LR Z184-CO
LR Z185-CO
LR Z186-CO
LR Z187-CO
LR Z188-CO
LR Z189-CO
LR Z180-CO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
red
red
red
red
red
red
red
red
red
red
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Q62703-Q1495
Q62703-Q1496
Q62703-Q1497
Q62703-Q1498
Q62703-Q1499
Q62703-Q1500
Q62703-Q1501
Q62703-Q1502
Q62703-Q1503
Q62703-Q1504
LY Z181-CO
1
yellow
yellow diffused
0.25
Q62703-Q1505
LG Z181-CO
LG Z182-CO
LG Z183-CO
LG Z184-CO
LG Z185-CO
LG Z186-CO
LG Z188-CO
LG Z180-CO
1
2
3
4
5
6
8
10
green
green
green
green
green
green
green
green
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Q62703-Q1506
Q62703-Q1507
Q62703-Q1508
Q62703-Q1509
Q62703-Q1510
Q62703-Q1511
Q62703-Q1513
Q62703-Q1515
VEX06726
Semiconductor Group
2
Grenzwerte
Maximum Ratings
1)
Auf Platine geltet: Ltflche
16 cm
2
.
1)
Soldered on PC board: pad size
16 cm
2
.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
40 ... + 80
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
40 ... + 80
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
30
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
80
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
750
1)
K/W
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Semiconductor Group
3
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR
LY
LG
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
660
586
565
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
645
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
35
45
25
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
100
100
100
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
1.6
2.0
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
25
10
15
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
120
50
300
150
450
200
ns
ns
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Semiconductor Group
4
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Semiconductor Group
5
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)