ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q1958

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Semiconductor Group
1
11.96
Super ARGUS
LED
High-Current, 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LS K382, LO K382, LY K382
LG K382, LP K382
VEX06712
Besondere Merkmale
q
eingefrbtes, klares Gehuse
q
Kunststoffgehuse mit spezieller Formgebung
q
besonders geeignet bei hohem Umfeldlicht duch erhhten
Betriebsstrom (typ. 50 mA)
q
bei Einsatz eines ueren Reflektors zur Hintergrund-
beleuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen
geeignet
q
gleichmige Ausleuchtung einer Streuscheibe
(Weidruck) vor dem ueren Reflektor
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
q
Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben mu die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlnge
angepat werden.
Features
q
colored, clear package
q
plastic package with a special design
q
appropriate for high ambient light because of the higher
operating current (typ. 50 mA)
q
in connection with an additional, custom built reflector
suitable for backlighting of display panels
q
uniform illumination of a diffuser screen in front of the
custom built reflector
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
q
Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength emitted
by the LED.
Semiconductor Group
2
LS K382, LO K382, LY K382
LG K382, LP K382
s
Not for new design / Nicht fr Neuentwicklungen
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
V max
/
V min
2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit
V max
/
V min
2.0.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 50 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LS K382-QT
LS K382-R
LS K382-S
LS K382-RU
super-red
red clear
63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
100 ... 800
Q62703-Q2633
Q62703-Q2634
Q62703-Q2635
Q62703-Q1956
LO K382-QT
LO K382-R
LO K382-S
LO K382-RU
orange
orange clear
63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
100 ... 800
Q62703-Q2636
Q62703-Q2637
Q62703-Q2638
Q62703-Q1957
LY K382-QT
LY K382-R
LY K382-S
LY K382-RU
yellow
yellow clear
63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
100 ... 800
Q62703-Q2639
Q62703-Q2640
Q62703-Q2641
Q62703-Q1958
LG K382-QT
LG K382-R
LG K382-S
LG K382-T
LG K382-RU
green
green clear
63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
250 ... 500
100 ... 800
Q62703-Q2642
Q62703-Q2643
Q62703-Q2644
Q62703-Q2645
Q62703-Q1959
LP K382-NR
LP K382-P
LP K382-Q
LP K382-R
LP K382-PS
pure green
colorless clear
25 ... 200
40 ... 80
63 ... 125
100 ... 200
40 ... 320
Q62703-Q2646
Q62703-Q2339
Q62703-Q2338
Q62703-Q2337
Q62703-Q2123
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
75
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
1
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25
C
P
tot
240
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
250
1)
K/W
1)
Montiert auf Platine mit min. Anschlulnge (bis Aufsatzebene, Ltflche
16 mm
2
).
1)
Mounted on PC board with min. lead length (up to stand-off, pad size
16 mm
2
).
LS K382, LO K382, LY K382
LG K382, LP K382
Semiconductor Group
4
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 20 mA
peak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 20 mA
dom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
45
40
45
25
22
nm
Durchlaspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
F
= 50 mA
V
F
V
F
2.0
3.8
2.4
3.8
2.4
3.8
2.6
3.8
2.6
3.8*
)
V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt (typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
O
55
40
30
55
80
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f





ns
ns
*
)
V
F
max = 3.2 V as of Febr. 97
LS K382, LO K382, LY K382
LG K382, LP K382
Semiconductor Group
5
LS K382, LO K382, LY K382
LG K382, LP K382
Relative spektrale Emission
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
6
LS K382, LO K382, LY K382
LG K382, LP K382
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Relativer Lichtstrom
V
/
V(50 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous flux
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F^
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
Semiconductor Group
7
LS K382, LO K382, LY K382
LG K382, LP K382
Wellenlnge der Stahlung
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 50 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Relativer Lichtstrom
V
/
V(25 C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous flux
I
F
= 50 mA
Semiconductor Group
8
LS K382, LO K382, LY K382
LG K382, LP K382
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Krzerer Ltspie
Cathode mark:
Short solder lead
GEX06712