ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q2049

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Semiconductor Group
1
11.96
Symbol MULTILED
2.5 mm x 5 mm, Partly Diffused
LU B371
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Streuung der Lichtstrke in einer LED
I
V max
/
I
V min
4.0 (LU B371 - FJ),
2.0 (LU B371 - GK).
1)
Bei MULTILED
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
4.0 (LU B371 - FJ),
2.0 (LU B371 - GK).
1)
In case of MULTILED
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LU B371-FJ
super-red / green
colorless clear
partly diffused
1.0 ...
8.0
Q62703-Q2048
LU B371-GK
super-red / green
1.6 ...
12.5
Q62703-Q2049
VEX06721
Besondere Merkmale
q
nicht eingefrbtes, teilweise diffuses Gehuse
q
Ltspiee im 2.54 mm Raster
q
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED mglich
q
Anzeige unterschiedlicher Betriebszustnde durch Farb-
wechsel von rot auf grn mglich
q
beide Farben getrennt ansteuerbar
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colorless, partly diffused package
q
2.54 mm lead spacing
q
high signal efficiency possible by color change of the LED
q
indication of different operation modes is possible by color
change of the LED from red to green
q
both colors can be controlled separately
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
LU B371
Grenzwerte
Maximum Ratings
1)
Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebenen
Grenzen nicht berschreiten.
1)
With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceed
the specified limits.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
1)
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
0.5
1)
A
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
140
1)
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
K/W
Semiconductor Group
3
LU B371
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
super-red
green
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
635
565
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
628
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
45
25
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
100
100
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
12
15
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
4
LU B371
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LU B371
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
6
LU B371
Wellenlnge der Strahlung
peak
=
f
(
T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25
C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Semiconductor Group
7
LU B371
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Mittlerer Ltspie
Cathode mark:
Middle solder lead
GEX06721