ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q2051

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Semiconductor Group
1
11.96
Besondere Merkmale
q
nicht eingefrbtes, teilweise diffuses Gehuse
q
Ltspiee im 2.54 mm Raster
q
Hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED mglich
von grn zu gelb und orange nach superrot
q
geeignet fr Multiplex- und Impulsbetrieb
q
beide Grundfarben grn und rot getrennt ansteuerbar
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
partly diffused, colorless package
q
2.54 mm lead spacing
q
high signal efficiency by color change of the LED from
green to yellow and orange to superred
q
ideal for multiplexed or pulsed operations
q
both colors can be controlled separately
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
VEX06728
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Streuung der Lichtstrke in einer LED
I
V max
/
I
V min
4.0 (LU H371-FJ),
2.0 (LU H371-GK).
1)
Bei MULTILED
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
4.0 (LU H371-FJ),
2.0 (LU H371-GK).
1)
In case of MULTILED
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LU H371-FJ
super-red / green
colorless clear
partly diffused
1.0 ... 8.0
Q62703-Q2050
LU H371-GK
super-red / green
1.6 ...12.5
Q62703-Q2051
Symbol MULTILED
5 mm (T1
3
/
4
), Partly Diffused
LU H371
Semiconductor Group
2
Grenzwerte
Maximum Ratings
1)
Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebene
Grenze nicht berschreiten.
1)
With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceed
the specified limits.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
1)
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
0.5
1)
A
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25C
P
tot
140
1)
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistence
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
K/W
LU H371
Semiconductor Group
3
Kennwerte (
T
A
= 25C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
super-red
green
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
=20 mA
peak
635
565
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
=20 mA
dom
628
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
(typ.)
I
F
=20 mA
45
25
nm
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
2
100
100
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
=10 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
O
12
15
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10% to 90%
(typ.)
I
V
from 90% to 10%
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
50
450
200
ns
ns
LU H371
Semiconductor Group
4
LU H371
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V(
) =
spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharacteristic
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25C
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
LU H371
Semiconductor Group
6
LU H371
Wellenlnge der Strahlung
peak
=
f
(
T
A
)
Wavelangth at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 20 mA
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25C )
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Semiconductor Group
7
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Mittlerer Ltspie
Cathode mark:
Middle solder lead
GEX06728
LU H371