Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfnger
q
Gehusegleich mit SFH 309, SFH 409
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogerten, Lichtdimmern
q
Lichtschranken bis 500 kHz
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Good spectral match to silicon
photodetectors
q
Same package as SFH 309, SFH 409
Applications
q
IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
q
Light-reflection switches (max. 500 kHz)
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 487
Q62703-Q1095
3-mm-LED-Gehuse (T1), klares violettes Epoxy-
Gie
harz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Anodenkennzeichnung: krzerer Anschlu
3 mm LED package (T1), violet-colored transparent
epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
''),
anode marking: short lead
SFH 487-2
Q62703-Q2174
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fex06250
1.8
1.2
29
27
6.3
5.9
(3.5)
4.1
3.9
5.2
4.5
2.54 mm
spacing
3.1
2.9
0.8
0.4
0.6
0.4
4.0
3.6
0.6
0.4
Approx. weight 0.3 g
Chip position
Area not flat
GEX06250
0.7
0.4
Cathode
Anode
(SFH 487)
(SFH 409)
SFH 487
Semiconductor Group
2
1997-11-01
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchla
strom
Forward current
I
F
100
mA
Sto
strom,
10
s
Surge current
I
FSM
2.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200
mW
Wrmewiderstand, freie Beinchenlnge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
R
thJA
375
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
,
I
F
= 100 mA
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
80
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
20
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.16
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.4
0.4
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
H
2.6
mm
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 487
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.6/0.5
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
1.5
(<
1.8)
3.0
(<
3.8)
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
25
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 100 mA
TC
0.25
nm/K
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 487
Semiconductor Group
4
1997-11-01
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
Bezeichnung
Description
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 487
SFH 487-2
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e
> 12.5
> 20
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ.
270
270
mW/sr
OHR01895
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Semiconductor Group
5
1997-11-01
SFH 487
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current,
I
F
=
f
(
V
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
s
0
750
rel
OHR00877
800
850
900
950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
o
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
10
OHR00878
e
F
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
10
1
10
2
10
4
mA
e
(100mA)
3
10
10
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10
s
=
D
F
T
DC
0.005
=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board
I
F
=
f
(
I
),
T
A
= 25
o
C
T
OHR00880
0
F
0
20
40
60
80
100
C
mA
25
50
75
100
125
OHR00949
F
0
0
5
10
15
20
25 mm 30
20
40
60
80
100
mA
120
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