ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q2439

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Semiconductor Group
0
11.96
Features
q
colorless, clear package
q
for optical coupling into light pipes
q
for use as optical indicator
q
antiparallel chips
q
high signal efficiency possible by color change of the LED
q
with appropriate controlling by IC (e.g. SDA 2231) it is possible to change color from green to
yellow and orange (resp. to super-red)
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Plane MULTILED
3 mm (T1) LED, Non Diffused
LSP P370, LOP P370
VEX06712
Besondere Merkmale
q
farbloses, klares Gehuse
q
zur Einkopplung in Lichtleiter
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips
q
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED mglich
q
bei geeigneter Ansteuerung mit IC (z.B. SDA 2231),
Farbwechsel von grn ber gelb bis orange (bzw. bis
super-rot) mglich
q
Ltspiee mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Semiconductor Group
1
LSP P370, LOP P370
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
V max
/
V min
2.0.
1)
Streuung des Lichtstromes in einer LED
V max
/
V min
4.0.
1)
Bei MULTILED
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous flux ratio in one packaging unit
V max
/
V min
2.0.
1)
Luminous flux ratio in one LED
V max
/
V min
4.0.
1)
In case of MULTILED
, the brightness of the darker chip in one packaging unit determines the brightness
group of the LED.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 15 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LSP P370-KN
LSP P370-M
LSP P370-N
LSP P370-P
LSP P370-MQ
super-red /
pure green
colorless clear
6.3 ...
50
16.0 ...
32
25.0 ...
50
40.0 ...
80
16.0 ... 125
Q62703-Q2439
Q62703-Q2671
Q62703-Q2672
Q62703-Q3232
Q62703-Q2673
LOP P370-KN
LOP P370-M
LOP P370-N
LOP P370-MQ
orange /
pure green
colorless clear
6.3 ...
50
16.0 ...
32
25.0 ...
50
16.0 ... 125
Q62703-Q2530
Q62703-Q2674
Q62703-Q2675
Q62703-Q2676
Semiconductor Group
2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
1)
30
1)
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
0.5
0.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25
C
P
tot
140
100
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
400
K/W
1)
Die angegebenen Grenzdaten gelten fr den Chip, fr den sie angegeben sind, unabhngig vom
Betriebszustand des anderen.
1)
The stated maximum ratings refer to the specified chip, regardless of the other one's operating status.
LSP P370, LOP P370
Semiconductor Group
3
LSP P370, LOP P370
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LP
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 20 mA
peak
635
610
557
nm
Dominantwellenlnge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 20 mA
dom
628
605
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
45
40
22
nm
Durchlaspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
F
= 15 mA
V
F
V
F
2.1
2.6
2.1
2.6
2.1
2.6
V
V
Kapazitt
1)
(typ.)
Capacitance
1)
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
12
8
15
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
300
150
450
200
ns
ns
1)
Die Gesamtkapazitt ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitten.
1)
The total capacitance results from the sum of the single capacitances.
Semiconductor Group
4
LSP P370, LOP P370
Relative spektrale Emission
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) =
spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LSP P370, LOP P370
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
LS, LO
Relativer Lichtstrom
V
/
V(15 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous flux
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
LP
Semiconductor Group
6
LSP P370, LOP P370
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
), LS, LO
Wellenlnge der Stahlung
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
), LP
Dominantwellenlnge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Semiconductor Group
7
LSP P370, LOP P370
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 15 mA
Relativer Lichtstrom
V
/
V(25 C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous flux
I
F
= 15 mA
Semiconductor Group
8
LSP P370, LOP P370
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Cathode mark, pure green: Long solder lead
Cathode mark, red, orange: Short solder lead
GEX06816