ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62703-Q2531

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Semiconductor Group
1
11.96
Multi TOPLED
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Besondere Merkmale
q
Gehusebauform: P-LCC-4
q
Gehusefarbe: wei
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
q
beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
q
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED mglich
q
bei geeigneter Ansteuerung, Farbwechsel von grn ber
gelb und orange bis super-rot mglich
q
fr alle SMT-Bestck- und Lttechniken geeignet
q
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
P-LCC-4 package
q
color of package: white
q
for use as optical indicator
q
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
q
both chips can be controlled separately
q
high signal efficiency possible by color change of the LED
q
with appropriate controlling it is possible to change color
from green to yellow and orange to super-red
q
suitable for all SMT assembly and soldering methods
q
available taped on reel (8 mm tape)
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
VPL06837
Semiconductor Group
2
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Streuung der Lichtstrke in einer LED
I
V max
/
I
V min
3.0 (LSG T670, LOG T670, LSY T670),
4.0 (LSP T670, LOP T670).
1)
Bei MULTILED
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
3.0 (LSG T670, LOG T670, LSY T670),
4.0 (LSP T670, LOP T670).
1)
In case of MULTILED
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
flche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LSY T670-HK
LSY T670-J
LSY T670-K
LSY T670-JL
super-red /
yellow
colorless clear
2.5 ... 12.5
4.0 ...
8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q3912
Q62703-Q2984
Q62703-Q2985
Q62703-Q3913
LSG T670-HK
LSG T670-J
LSG T670-K
LSG T670-JL
super-red /
green
colorless clear
2.5 ... 12.5
4.0 ...
8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q2531
Q62703-Q2656
Q62703-Q2657
Q62703-Q2658
LSP T670-FJ
LSP T670-G
LSP T670-H
LSP T670-J
LSP T670-GK
super-red /
pure green
colorless clear
1.0 ...
8.0
1.6 ...
3.2
2.5 ...
5.0
4.0 ... 8.0
1.6 ... 12.5
-
8 (typ.)
12 (typ.)
18 (typ.)
-
Q62703-Q2659
Q62703-Q2660
Q62703-Q2661
Q62703-Q2777
Q62703-Q2532
LOG T670-HK
LOG T670-J
LOG T670-K
LOG T670-JL
orange/
green
colorless clear
2.5 ... 12.5
4.0 ...
8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 20.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q2708
Q62703-Q2767
Q62703-Q2768
Q62703-Q2867
LOP T670-FJ
LOP T670-G
LOP T670-H
LOP T670-GK
orange/
pure green
colorless clear
1.0 ...
8.0
1.6 ...
3.2
2.5 ...
5.0
1.6 ... 12.5
-
8 (typ.)
12 (typ.)
-
Q62703-Q2677
Q62703-Q2678
Q62703-Q2679
Q62703-Q2566
Semiconductor Group
3
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
30
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
100
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board*
)
(Padgre
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
16 mm
2
)
R
th JA
1)
R
th JA
2)
480
650
K/W
K/W
*
)
PC-board: FR4
1)
nur ein Chip betrieben
1)
one system only
2)
beide Chips betrieben
2)
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten fr einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
4
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Ein-
heit
Unit
LS
LO
LG
LP
LY
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 10 mA
peak
635
610
565
557
586
nm
Dominantwellenlnge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 10 mA
dom
628
605
570
560
590
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
45
40
25
22
45
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
120
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt (typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
12
8
15
15
10
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
450
200
450
200
450
200
300
150
ns
ns
Semiconductor Group
5
LSG T670, LSP T670, LSY T670
LOP T670, LOG T670
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic